2020年8月15日上午10:00-11:00，应物理科学与技术学院邀请，中国科学院半导体研究所邓惠雄研究员在卓越楼0216作了题为“维度无关的半导体缺陷计算理论”的学术报告。主持人为物理学院屈媛副教授。参加人有学院部分教师、研究生和本科生50多人。
半导体研究是信息技术的基础，具有经济和战略意义。掺杂和缺陷性质是半导体材料应用于微电子或光电子器件的重要决定因素。邓惠雄研究员报告中介绍一种物理上更为直接普适且维度无关的缺陷计算理论，在三维半导体中获得与传统“凝胶”模型相一致性质的结果，且在低维半导体系统如二维材料、量子点、量子线中克服传统模型的发散问题。（参考文献：Phys. Rev. Lett., 120, 039601, 2018；Phys. Rev. B, 101, 165306, 2020）此方法已在PWMAT中集成。报告后师生与邓老师就报告内容和如何报考中国科学院半导体研究所进行了交流讨论。
邓惠雄研究员简介：中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员，国家优秀青年基金获得者，中科院创新促进会会员，中国电子学会会员。2005年本科毕业于内蒙古大学数理基地（物理方向），2010年在中科院半导体所获博士学位。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料的物性探究与设计的研究工作。迄今已在Nature Energy、 Nature Comm、Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B、Adv. Mater.等期刊上发表SCI论文60余篇。
