2023年7月5日（周三）下午，中国科学院微电子研究所彭松昂副研究员应物理科学与技术学院邀请来访在卓越楼0302做了题为“石墨烯场效应晶体管及在微电子领域的应用”的学术报告。物理科学与技术学院屈媛副教授主持报告，物理学院教师、研究生和本科生40余人参加。
芯片集成度的增加取决于微电子器件线宽的不断降低，主流互补金属氧化物半导体（CMOS）技术节点已经达到5 nm，量子效应和短沟道效应将逐渐凸显，“摩尔定律”面临着终结。以石墨烯为代表的二维材料具有天然原子层量级的超薄沟道，这使得器件在纳米尺度上仍会具有较高的载流子迁移率和栅极调控能力，可以有效地克服量子效应和短沟道效应对器件性能的不利影响。彭老师在报告中介绍了石墨烯场效应晶体管的制备工艺与载流子输运机理。以石墨烯场效应晶体管为载体，介绍团队在石墨烯基射频、人工智能和传感领域研究进展。报告会后，彭老师与教师和研究生就二维材料器件性能分析的相关问题进行了讨论。
彭松昂，中国科学院微电子研究所副研究员，硕士生导师。中国科学院青年创新促进会会员。中国科学院青年创新促进会信息与管理分会会长。主要研究石墨烯器件工艺与器件物理，以及其在射频、人工智能、生物传感等领域的应用。
报告会现场1
报告会现场2
