中国科学院半导体研究所骆军委研究员应邀到我院作报告

2021年3月19日上午10:00，中国科学院半导体研究所骆军委研究员应物理科学与技术学院邀请在卓越楼0213作了题为“后摩尔时代半导体超快激光退火”的学术报告。物理科学与技术学院屈媛副教授主持报告，物理学院教师、研究生和本科生70余人参加。

集成电路微电子技术从“微电子科学”转向“纳电子科学”，从“摩尔定律时代”进入“后摩尔时代”，为突破硅CMOS器件性能瓶颈引入的新材料、新结构对传统退火工艺提出了巨大挑战。超快激光退火自上个世纪70年代提出即存有物理机理争议，近期原子尺度动力学过程借助新一代光源得以观察，重新成为热点。骆老师的报告结合他们在硅基发光和硅量子比特材料取得的研究成果，介绍课题组采用含时密度泛函理论研究硅等半导体材料的光致相变所获得的最新进展。报告后科研实验室教师与骆老师就激光退火的机理和优化进行交流讨论。

骆军委研究员简介：中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任，2019年获得国家杰出青年基金。2000年和2003年在浙江大学获学士和硕士学位，2006年在中科院半导体所获博士学位，2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室任职至Senior Scientist，2014年全职回国。长期从事半导体物理与器件物理研究，聚焦半导体核心技术的源头理论创新，已经在解决硅基发光和硅量子比特材料等关键瓶颈取得重要进展，为发展硅基光电子集成芯片和硅量子计算提供了新方法。已发表论文80余篇，包括以第一或通讯作者发表Nature Physics 1篇、Nature Nanotechnology 1篇、Nature Communications 1篇和PRL 6篇等，在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等重要国际会议作邀请报告或担任分会主席。